Micron Technology
IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA (MT47H512M4THN-25E:M TR)
Part Number: MT47H512M4THN-25E:M TR
Documents / Media: datasheets MT47H512M4THN-25E:M TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR2
- Объем памяти: 2Gb (512M x 4)
- Скорость: 400MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 400ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 63-TFBGA
- Исполнение корпуса: 63-FBGA (8x10)
Цена по запросу